- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/402 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne
Détention brevets de la classe G11C 11/402
Brevets de cette classe: 198
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Micron Technology, Inc. | 24960 |
48 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
30 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
13 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
12 |
Intel Corporation | 45621 |
8 |
Rambus Inc. | 2314 |
7 |
Apple Inc. | 50209 |
4 |
Pure Storage, Inc. | 2435 |
4 |
Mavagail Technology, LLC | 15 |
4 |
Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 604 |
3 |
Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
3 |
Kepler Computing Inc. | 221 |
3 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
2 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
2 |
Nanya Technology Corporation | 2000 |
2 |
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
2 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
2 |
Autres propriétaires | 23 |