• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/402 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne

Détention brevets de la classe G11C 11/402

Brevets de cette classe: 198

Historique des publications depuis 10 ans

9
5
10
12
19
23
26
34
21
6
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Micron Technology, Inc.
24960
48
Zeno Semiconductor, Inc.
236
30
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
22
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
13
SK Hynix Inc.
11030
12
Intel Corporation
45621
8
Rambus Inc.
2314
7
Apple Inc.
50209
4
Pure Storage, Inc.
2435
4
Mavagail Technology, LLC
15
4
Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd.
604
3
Changxin Memory Technologies, Inc.
4732
3
Kepler Computing Inc.
221
3
International Business Machines Corporation
60644
2
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
2
Tokyo Electron Limited
11599
2
Macronix International Co., Ltd.
2562
2
Nanya Technology Corporation
2000
2
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
1019
2
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
1764
2
Autres propriétaires 23